第三百八十六章 蓝光（第2页）

在外联的管线上，又有很多是后来添加的仪器仪表。

本来充满了高科技美感的cvd设备，经过这么一番“毁容”

，如今就好像是个飞天意面神教的圣物一般。

“成功了？”

胡文海丝毫没有嫌弃这台设备的粗糙和散乱，反而眼睛里散发出兴奋的目光，看向白石有些不敢置信的问道。

“成功了！”

白石重重的点了点头。

胡文海从设备上抬起头来，四处搜索：“有没有成品？”

白石转身，从一块托架上捧出一块圆形的镜面散发着流光的晶片。

随着灯光在它的镜面上划过，有些发灰暗的七彩光晕不断的折射出来。

将晶片调转一个方向，在它的背面则是相当薄的、隐约间散发着相当不明显蓝光的透明层。

可以看到，前面那层镜面就是从这个透明层“过渡”

过去的。

“生长的情况怎么样？”

“很完美！”

白石笑了起来：“我们采用了胡总你提出的两段生长法，改进了赤崎勇和天野浩的生长方式，用低温氮化镓代替了氮化铝作为缓冲层，在低温氮化镓之上用1030度的高温继续生长氮化镓，从而解决了因晶格失配造成氮化镓晶体质量不稳定的问题。”

“成本方面呢？”

胡文海接着问道。

“因为良品率的极大提高，成本上比日本人目前的生产方式降低了足有40%还多。”

“好！

好！

好！”

胡文海搓着手，兴奋的连喊了三个好字。

他从白石的手中，接过这块晶片来，仔细的打量端详着。

当然，实际上人眼的分辨率是无法分辨出它的好坏的。

但光是从镜面上闪过的五彩流光，胡文海就已经感到有些喜出望外了。

像是要向胡文海邀功似的，白石津津乐道的说道：“我们的掺镁氮化镓在通过cvd沉积的过程中，使用了氮气和氢气作为保护气。

实际上制成的低阻p型氮化镓半导体，比目前日本人用氮化铝做缓冲层获得的半导体性能还要更好。

通过我测得的数据，我们的p型氮化镓电阻率是0.2Ωm，空穴浓度更是达到了3×10的18次方立方厘米。”

“和日本人的电阻率12Ωm，空穴浓度10的17次方立方厘米比起来，成本上的降低反而都不够看了！

有了这种氮化镓外延片，蓝光led的性能和成本将降低到不可思议的程度！”

没错，胡文海现在手里捧着的这块大概2英寸大小的晶片，就是蓝光led芯片的核心技术——氮化镓外延片。

和其他的半导体芯片不同，led芯片的生产核心技术并非是ic设计和光刻机，而是晶体生长技术。

led芯片照明的原理很简单，就是半导体中的电流p端向n端流动的过程，p端的自由电子在n端的空穴中结合，p端和n端结合处就会产生光子辐射出来。

而这种pn结构的半导体，只是半导体设计中最常用的部分。

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